Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) bugün yeni bir 60 V TrenchFET® Gen IV n-kanal gücü MOSFET ile 6.15 mm'de 5.15 mm PowerPAK® SO-8 tekli paket tanıttı. Güç dönüşüm topolojilerinin verimliliğini artırmak için tasarlanan Vishay Siliconix SiR626DP, önceki nesil cihazlara göre %36 daha düşük direnç sağlarken, sınıfındaki en düşük kapı şarjı ve çıkış şarjını sunar.
Bugün piyasaya sürülen cihaz, 10 V'da 1,7 mΩ'ye varan maksimum direnç direnci ile 52 nC ultra düşük kapı şarjı, 68 nC çıkış şarjı ve COSS 992 pF’yi birleştirir. Sonuçta ortaya çıkan dirençli geçit şarj süreleri ve çıkış şarjı dirençleri - güç dönüşüm uygulamalarında kullanılan MOSFET'ler için anahtar yararlılık katsayısı (FOM) değerleri - önceki nesil cihazlara göre sırasıyla% 32 ve% 45 daha düşüktür. MOSFET'in COSS'si %69 daha düşüktür.
SiR626DP'nin gelişmiş özelliklerine, iletim ve anahtarlama kayıplarını en aza indirmek için ince ayar yapıldı. Sonuç; AC/DC topolojilerinde senkron düzeltme için verim artışı, solar mikro invertörler ve telekom, sunucu ve tıbbi cihaz güç kaynakları için izole DC/DC topolojilerinde birincil ve ikincil taraf değiştirme, elektrikli el aletleri ve endüstriyel ekipmanlarda motor tahrik kontrolü ve batarya yönetim modüllerinde batarya değişimi.
MOSFET %100 RG ve UIS testli, RoHS uyumlu ve halojen içermez.
N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET
1,7 mΩ'ye kadar Düşük Direnç Sunar
- Tedarikçi Vishay Intertechnology
- Mayıs 27, 2019
- 1344 Görüntüleme
N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET
Endüstri-Dünyası’nın amacı; endüstriyel mühendisliğine dünyanın her yerinde üretilip Türkiye pazarına sunulan yeni ürünler ve hizmetler ile ilgili bilgi vermektir. Eğer siz de firmanızın yeni ürünlerinin Endüstri Dünyası’nda yer almasını istiyorsanız lütfen teknik basın bültenlerinizi editörlerimize gönderin.
Ürün yazılarımız ile ilgili görüşleriniz ve önerileriniz var ise lütfen editorlerimizle irtibata geçiniz.
