IGBT

Doğru akımı alternatif akıma çeviren gerilim yükseltici devrelerde kullanılmak üzere Toshiba Electronics Europe tarafından pazara sunulana GT40RR21 yüksek hızlı tümleşik IGBT 1.350V anma gerilimine sahiptir. Yüksek sıcaklığa dayanıklı olup indüksiyonla ısıtma yöntemini benimsemiş ekipmanlarda kullanıma uygundur. N kanallı çoğalma kipli transistor ters akım toparlanma diyotunu da barındırdığı için kullanılan alan ve parça sayısında tasarruf sağlar. Maksimum tepe akımı 3µs boyunca 200 A’e kadar çıkabilir. Kapanma kipinde anahtarlama kayıpları 25 °C kasa sıcaklığında tipik olarak 0,30 mJ ve 125 °C’da 0,54 mJ seviyesindedir. Bu özellik yüksek verimli faaliyeti garantiler. Transistörün jonksiyon ısısı 175 °C’a kadar olabilir. Maksimum kolektör akımı 25°C ısıda 40 A olup 100 °C sıcaklığa çıkıldığında sadece 5A kadar düşer. Tipik doyma gerilimi 25°C sıcaklıkta sadece 2.0V’tur. En yüksek diyot iletkenlik gerilim ve akımı 3,0 V ve 2, 0 A’dir. TO247 muadili TO-3P(N) muhafazalarda sunulan IGBT 15,5 x 20,0 x 4,5 mm ebatlarındadır.